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      沉淀二氧化硅的蒸發研究

      雙擊自動滾屏 發布時間:2012/12/27 閱讀:3474次 【字體:

          沉淀二氧化硅(白炭黑)表面的隔離羥基和相鄰羥基,在存放過程中,接觸水蒸氣就會改變濃度。其中隔離羥基不變化,說明在生產過程中生成的隔離羥基是穩定的,而相鄰羥基會逐漸增多,個現象也可以用楊格的機理來解釋,即在高溫下形成了某些含有'內應力'的硅—氧—硅鍵,它可吸水打開而形成更多的相鄰羥基。

        X—射線衍射也證明了二氧化硅(白炭黑),在常溫~700℃溫范圍內,加熱不會改變其無定形結構,大雨700℃時開始出現向結晶結構變化,至800℃就完全變為低溫型方英石的結晶。

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